资源描述
考试科目 832 微电子器件 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 180 分钟 考试总分 150 分 一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2PN 结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN 结空间电荷区的形成 3）耗尽近似与中性近似 4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算 5）正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况 6）PN 结的能带图 7）PN 结的少子分布图 8) PN 结的直流伏安特性 9）PN 结反向 和电流的计算及 10） 基区二 的特 11） 12）PN 结 的 理、 电压的计算及 、 的 理及特 、 的 理 13）PN 结势 电容与 电容的定义、计算与特 14）PN 结的 流 与 电 15）PN 结的特性与少子 3 体 1） 体 currency1“fi下的少子分布图与能带图 2）基区fl运 与结 的定义及计算 3）基 与 直流电流 的定义及计算 4）基区时间的及计算 5）缓变基区体 的结”与电学特性 6） 电流时电流 的下 7）区 8）体 的直流电流电压方程、体 的直流fl特性 线图 9）基区宽度变 10）体 “反向电流的定义与方 11）体 “ 电压的定义与方、基区 12）方电的及计算 13）体 的 14）体 的电流 与 的 、成体 时间的主要时间 、体 特 的定义、计算与、 特 的主要 15） 体 与 的定义与计算， 的主要 4 场 体 （ ） 1） 的 与基本结” 2） 的理 3） 电压的定义、计算与、 电压的“ 、 电压的 4） currency1 和区和 和区的直流电流电压方程 5） 的 和电压与 和 电流的定义与计算 6） 的直流fl特性 线和特性 线图 7） 的 度 8） 的直流 及 度特性 9） 的“ 电压 10） 的 11） 导的定义与计算、 导的“ 12） 的 电 及 特性 13） 的主要 生 14） 的 和 的定义、 的主要 15） 的 以及 的 16) 的场 新祥旭考研官网 http:/www.xxxedu.net/
展开阅读全文