河北工业大学2020年微电子器件考研复试科目考试大纲.docx

新祥旭考研官网 http:/www.xxxedu.net/河北工业大学 2020 年微电子器件考研复试科目考试大纲科目代码：F1901科目名称：微电子器件适用专业：电子科学与技术、电子与通信工程（专业学位）一、考试要求微电子器件适用于河北工业大学电子科学与技术、电子与通信工程（专业学位）研究生招生复试。主要考察 pn 结、BJT、MS 和场效应晶体管基本观念及原理、物理模型以及数学描述，要求学生熟悉制造半导体器件过程中对应的器件结构，能够绘制晶体管结构和原理图，定量计算晶体管中参量，并分析中微电子器件参量的中的关键因素。二、考试形式试卷采用客观题型和主观题型相结合的形式，主要包括选择题、判断题、简答题、计算题、综合题等。三、考试内容第 1 部分 pn 结第 1.1 部分 pn 结静电特性pn 结基本概念和结构、定量地描述 pn 结静电势。第 1.2 部分 pn 结二极管的 I-V 特性分析 pn 结导通原理、理想 pn 结 I-V 特性的严格推导过程，考虑反向击穿、产生-复合电流实际 pn 结与理想差异，大电流影响 pn 结 I-V 特性和窄基区二极管。第 1.3 部分 pn 结二极管小信号导纳pn 结小信号等效电路，pn 结反向电容和电导、pn 结正向偏置扩散导纳。第 2 部分 BJT第 2.1 部分 BJT 基础知识 BJT 的表示符号和工作方式，BJT 的静电特性定性分析 BJT 工作原理，衡量BJT 的参数。第 2.2 部分 BJT 静电特性BJT 直流特性，BJT 理论与实验的偏差，现代 BJT 结构。第 2.3 部分 BJT 动态响应模型BJT 小信号模型，BJT 动态响应和实际 BJT 动态响应。第 3 部分 MS 接触和肖特基二极管及场效应晶体管第 3.1 部分 MS 接触、肖特基二极管金属半导体（MS）接触，肖特基二极管工作原理。第 3.2 部分场效应晶体管场效应晶体管结构、J-FET 工作原理，考虑源漏电阻 J-FET 的输出和交流响应定量计算 J-FET 特性，MESFET 工作原理和短沟道效应。四、参考书目1 美Robert F.Pierret 著，黄如，王漪，王金延，金海岩译. 半导体器件基础. 北京：电子工业出版社，2010 年