2018年北京大学汇丰微电子半导体物理超详细考研经验.docx

新祥旭微信：xxxedu0012018 年北京大学汇丰微电子半导体物理超详细考研经验政治这个我是全程跟的肖秀荣，买了他的精讲精练，1000 题，讲真题，肖 4 和肖8，时政。我是从 4 月份的时候拿到了精讲精练，就花了 20 天左右看完了马原，其中是配合着文都的任燕翔的马原基础课看的，马原是最难的一部分，我个人觉得要早点开始，起初给自己留个大致印象，其他部分先不动，把精讲精练上课后马原题都做了，保证正确率在 75%以上才算有效。之后我正式开始政治的复习是在 8 月份，这时候因为有了一点马原的底子，在从精讲精练从头开始时，马原就很顺畅了，配合着 1000 题做。建议先看一遍书，然后做 1000 题，对答案再看一遍书，毛中特部分建议看肖秀荣视频，到 9 月底，应该至少弄完了 1000 题第一遍（注意不要把答案写在1000 题上，用草稿纸，统计错题，做标记）。第二遍再做 1000 题，这下应该1 个月可以完成，重点看第二遍做错的题，再翻书，做笔记，标记错题。第三遍半个月，也就是 10 月中就差不多弄完了 1000 题。这时可以买风中劲草回顾知识体系，时间 20 天到一个月。到了 11 月份就是做真题和模拟题（肖 4 肖 8蒋 5，新东方刘 5），错题整理一下。之后到考试前要保持手感。大概离考试20 天开始背肖 4，可以背诵别人整理好的肖 4，肖 8 太多不建议背。最后几天再看看错题，考前再模拟一下。英语单词真的挺重要的，4 月开始花 1 个月，每天 2 个小时记单词，就用恋练有词，一天一章。把不熟的用小本子记下来，空闲的时间拿出来看看，有习惯的可以用记单词的 app，但要注意别变成玩手机了。新祥旭微信：xxxedu001得阅读得英语，阅读一定只要做真题。我买的是华研社的真题，很便宜比黄皮书便宜不少。建议只要 03-18 的真题，太早没有什么价值。做阅读首先应该分清楚有哪几种题型，对症下药。一年一年的来，做完一年的先不对答案，自己再检查一遍，再对答案。到了 10 月份阅读必须弄完 1 遍，之后再第二遍阅读，把之前出错的题整理，看看喜欢在哪里入陷阱。10 月可以开始被大作文，2 天一篇就行，我用的道长的高分写作。11 月份开始阅读分类训练，分析题干和选项以及原文之间的对应关系，找到真题出题的套路，这时也开始翻译，新题型，完型的训练，这部分弄好真题就行。12 月份开始好好模拟，到考试之前，练好字，模拟默写作文。数学数学是考研中最拉开差距的一门了，一定要多时间。我给自己安排了三个阶段。4-6 打好基础，我先看了一遍高数课本，然后看汤家凤的基础视频，做李永乐复习全书的配套分阶段练习，这段时间一般上午全给数学，晚上再 2 个小时做数学题。一定要打好基础，把书上的概念弄明白，我学完高数后就画了一张结构图。然后开始线代，先看书，看李永乐的基础视频再练习，最后概率。到了7 月初，正式开始复习全书，有了一定基础，全书会上手容易些。我花了 1 个半月弄完全书第一遍，其中不会的标记，错题整理好。7-9 月都是强化阶段，8 月中开始第二遍全书，只需 20 天就可以完成。到了 9 月初，在开始第三遍全书，只做错题就好，强化阶段我只看了汤神的微分中值定理强化视频，和张宇的高数强化视频，我都是开 1.5 倍看的，其实就是再捋一下思路。9 月底强化视频，全书任务全部完成。10 月开始进入冲刺阶段，开始做真题从05-17 全部完成，我大概一天一年的，错的不多就中午花半个小时整理，半个月基本真题结束。考虑到 18 年难度可能会加大，我也加大了模拟卷的难度，张宇八套卷，超越五套卷 14-18 年的 25 套，可以保持 2 天一套，但是千万不能有一天不碰数学。数新祥旭微信：xxxedu001学很吃感觉，要模拟出考试的感觉，保证 3 个小时。其中有盲区还要注意看课本，我总共看了 3 遍课本。11 月末张宇 4 套卷开始练（这是给想 135+的人的建议），12 月份可以降下做卷子的速度，开始看错题，把错过的题好好复习。考前一周模拟卷，我用了超越五套卷最新的，考前晚上再回顾一下历年真题不会的点，可能会重复考。考场上平心静气完成，130+没什么问题。半导体物理参考课本刘恩科半导体物理 1-9 章，叶良修半导体物理上，最重要的是真题和答案。7 月份开始复习课本，内容是刘恩科教材的第 1-第 9 章，第 12 章的霍尔效应。基本可以分为两部分，1-5 章，6-9 章。前半部分是半导体基本知识，后半部分是半导体结。做好笔记，把书上的知识点画个框架，遇到名词要摘录作为名词解释。第一遍一定要仔细点，尽量了解每一句话的意思，熟悉推导的过程。看完后先把课本的课后题做了对答案，这是比较基础的一部分。等到把书上知识弄完再开始弄北大作业题，我当时报了新祥旭辅导班，又遇到不清楚的就问老师，老师给我讲的很清楚，把北大的作业题必须熟练，因为可能是原题。真题的重复率很高，一定至少要弄 3 遍。真题的难点主要集中在能带、半导体载流子浓度、迁移率、电导、复合理论、连续性方程、爱因斯坦关系式、扩散漂移；PN 结电流电容，结的能带图、金半接触、MOS 及其 C-V 特性图、异质结；最难最难的是界面态的分类和表现。