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刚考完，所以尽可能多回忆一些以便帮到下一届学弟学妹。可能有些地方记错了，但八九不离十第一题。1.有效 质量的意义是什么。2.E(K)是三维的 k 波矢平方相加，对应 Kx 方，Ky 方，Kz 方的系数分别为 a，b ，c。问能否找到一个方程能替换牛顿定律F=m*(dx 关于 dt 的二阶导) 。其中 m 为惯性质量，F 为外力。第二题。对于一个平面二维晶体,E(k)=h/2m*（Kx2+Ky2 ） ,问二维的状态密度公式。第三题。1.什么是本征半 导体。什么是 杂质电离能。2.有一块 n 型硅，设在温度为 300K 时，电子的有效质量=m0 ，求当 Ef=0.5（ED+Ec ）时的施主杂质浓度。（假设施主杂质电离很弱）第四题。1.什么是准 费米能级2.试推导非简并条件下的 爱因斯坦关系式。第五题。什么是肖特基二极管，什么是霍尔效应。第六题。已知一个 pn 突变结。结面积为 0.0001 平方厘米，NA=10 的 18 次，ND=10 的16 次，空穴在 n 区的迁移率为 500V 每平方厘米，对应的电子在 p 区为 180（可能两个数据记反了）。两种载流子寿命均为一微秒。1.求反向饱和电流及当正向电流为 1mA 时的电压大小。2.求在施加正向 电压为 0.5V 时的势垒电容第七题。一个铝栅 P 沟道 mos 管，告诉了你栅氧化层厚度 120nm 及带电量及介电常数，N 型硅 衬 底掺杂浓度，介电常数。Al-SiO2 电势差为-3.2V,硅的表面势为（3.8+X ）V,X 为费米势。1.问阈值电压 是多少。 2.当 VGs 为-4V 时，W 为 300nm，L 为 10nm，空穴迁移率为 230，没有告诉你 VDs,问漏 电流大小以及跨导。也是我 觉得这次最难的一题，因为考察了好多点，和去年的题目比好像难了很多，我自己也因为当时复习这一块没多少头绪，只是跟着真题，所以很多细枝末节的东西没看到，做这题有点懵。第八题。1.PNP 管有哪几种工作状态2.画出均匀基区少子分布图，一个是 发射结集电结都零偏，一个是发射结正偏，集电结反偏。3.证明缓变基区晶体管的 发射效率可以由方 块电阻表示的那个公式，以前零几年的时候考过原题，书上也有证明。4.一个基区杂质浓 度呈指数分布的 缓变管，已知E=kT*基区漂移系数/(q*WB)注意这里没有书上的负号,告诉你 WB，电场大小为 500V/cm,以及靠近发射结一端的基区杂质浓度，问靠近集电结一侧的基区杂质浓度。这就是这次的题目，个人感觉就第七道长得怪了点，其他的都还是蛮常规的。我大概从九月中旬开始学习 874，感觉微电子器件自始至终都是一块 心病，不管是从书的量或者是难度来说。后期直接破罐破摔，只看真题和网上有答案的课后题，其实说实话考试前我都没搞清楚 mos 的小信号模型咋画，只知道书上的那三个图，要是再多连几根线加个电阻啥的估计就直接尬住。哈哈但都无所谓啦，毕竟他没考。希望我的回忆能对学弟学妹有帮助。然后我想说的是，我由衷地希望明年也有人能够做一份尽量完备的 2020 回忆版，上交 题目自己是不外流的，只能靠回 忆版。越详尽的回忆就越能帮助到自己的学弟学妹，尤其是微电子器件这方面，虽每年都说题目相对固定，套路死，但万一出啥状况换谁都顶不住
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