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半导体物理课程考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目：1刘恩科 朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社三、考试内容与基本要求：第一章 绪论考试要求本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。考试内容晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念晶体中的缺陷、晶格振动晶体中的电子运动第二章 半导体中的电子状态考试要求本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。考试内容电子、空穴和有效质量的概念能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象常用半导体的能带结构半导体中的杂质和缺陷第三章 热平衡状态下载流子的统计分布考试要求本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念， 掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。考试内容状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化简并半导体第四章 载流子的漂移和扩散考试要求本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。考试内容半导体中载流子的各种散射机制电导率和迁移率电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系强电场效应，热载流子第五章 非平衡载流子考试要求本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。考试内容非平衡载流子的注入与复合各种复合理论连续性方程第六章 p-n 结考试要求本章要求学生掌握 p-n 结概念及其能带图，掌握理想 p-n 结的电流电压关系，了解 p-n 结电容，了解实际 p-n 结的电流电压关系、p-n 结击穿、p-n 结隧道效应等。考试内容p-n 结及其能带图理想 p-n 结的电流电压关系实际 p-n 结的电流电压关系、p-n 结击穿p-n 结电容p-n 结隧道效应 隧道结第七章 金属和半导体接触考试要求本章要求学生掌握金属半导体接触的能带图及其电流电压关系，了解欧姆接触和肖特基势垒。考试内容(1)学习要求金属半导体接触的能带图及其电流电压关系欧姆接触肖特基势垒第八章 半导体表面与 MIS 结构考试要求本章要求学生掌握表面态和表面电场效应，了解 MIS 结构及应用。考试内容半导体表面能带和空间电荷区MIS 结构及应用第九章 半导体的光、热效应考试要求本章要求学生了解半导体的光电导和光生伏特效应及它们的应用，了解半导体激光，了解半导体的热电效应及其应用。考试内容半导体的光电导和光生伏特效应及其应用半导体的热电效应及其应用第十章 半导体的磁效应考试要求本章要求学生了解霍尔效应及其应用，了解半导体的磁阻效应。考试内容霍尔效应及其应用
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