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第 1 页 共 2 页昆明理工大学 2020 年硕士研究生招生入学考试试题 (A 卷 ) 考试科目代码： 864 考试科目名称 ： 材料科学基础 考生答题须知 1 所有题目 （包括填空 、 选择 、 图表等类型题目 ） 答题答案必须做在考点发给的答题纸上 ， 做在本试题册上无效 。请考生务必在答题纸上写清题号。 2 评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。 3 答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔 ） ，用其它笔答题不给分。 4 答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。 一、名词解释（ 任选 10 个作答， 每个 3 分， 共 30 分） 晶胞 配位数 肖特基缺陷 组织 孪晶 克根达尔效应 重构型相变 固相反应 弹性形变 N 型半导体 扩散通量 热压烧结 二、简答题（ 共 11 题， 任选 9 题作答，每 题 6 分， 共 54 分） 1. 试从内部质点排列情况分析 SiO2 晶体及 SiO2 玻璃的结构及特点有何异同。 2. 试说明间隙固溶体和间隙化合物有什么区别。 3. 什么是柯氏气团，解释其引起体心立方金属的明显屈服现象。 4. 金属铸件能否通过再结晶退火来细化晶粒 ? 5. 试根据结合键的特点分析离子晶体及金属晶体的性质差异。 6. 解释为什么铜和黄铜焊接件在高温环境中经一段时间后，在焊接点附近发生了断裂。 7. 比较孪生与滑移的相同点和不同点。 8. 试从热力学的角度说明菲克定律的局限性。 9. 简述液相烧结过程。 10. 简要分析位错运动过程中碰到第二相颗粒时可产生那些情况。 11. 简要分析包晶转变在非平衡冷却条件下产生的现象和原因。 三 、作图分析题（ 每题 10 分， 共 30 分） 1. 画出 SiO4四面体共顶、共棱、共面连接示意图，并根据鲍林规则分析何种连接方式最稳定。 2. 在简单立方晶胞中分别画出晶面 (212)、 (111)和晶向 212、 111， 并分析在立方晶系中 (hkl)和 hkl的关系，同时写出 111和 所包含的晶面和晶向。 3. 判断下列位错反应能否进行？若能进行，试在晶胞图上画出各位错反应矢量关系图。 （ 1） （ 2） 第 2 页 共 2 页昆明理工大学 2020 年硕士研究生招生入学考试试题 四、计算及综合题（ 每题 12 分， 共 36 分） 1. 870 和 927渗碳， 两种温度下碳在 -Fe 中的扩散系数分别为 810-12 和 1.6710-11m2/s. (R=8.314J/molK)。 （ 1） 求 D0（ 设 Q 在一定温度范围内为常数）？ （ 2） 若在 927 下经 1104s 后渗碳厚度达到 0.05mm，则经多长时间后，厚度增加一倍？ 2. 由 A 向 B 的液固相变中，单位体积自由焓变化 GV 在 1000时是 4.18108J/m3，在 900时是 20.9108J/m3， 设 A-B 间的界面能为 0.5J/m2，求： （ 1）在 900和 1000时的临界半径； （ 2）在 1000时进行相变时所需的形核功。 3. 请根据 Si-Sr 二元相图分析下列问题： （ 1）写出所有的三相反应式； （ 2） 分析 50wt%Sr 合金的平衡凝固过程，室温组织是什么； （ 3） 假使要得到 50%的 Si2Sr 且不含单质 Si，合金成分应该是多少。
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